AON6358_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON6358 N沟道MOS管采用了先进的DFN5X6-8L封装形式，小巧且功能强大。该器件具有30V的最大稳态漏源电压，可支持高达150A的连续漏极电流，充分保证了在高电压大电流条件下的可靠运行。更值得一提的是，其导通电阻仅为2mΩ，有效降低了能耗，提升了电路的工作效率。此款MOS管非常适合用于电源转换、电机驱动及其它高端电力电子应用，是您优化系统设计的理想之选。
