BSC020N03LSG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC020N03LSG N沟道MOS管，采用紧凑高效的DFN5X6-8L封装，尤其适合空间有限的设计方案。具备30V的最大漏源电压，可持续提供高达150A的漏极电流，展现卓越的电力处理能力。其导通电阻低至2mΩ，确保在大电流运行状态下依然维持低功耗和高效率，广泛适用于电源转换、电机控制以及其他高电流应用场合，是您打造高性能电子系统的理想半导体元件。
