IRFH5302PBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFH5302PBF N沟道MOS管采用节省空间的DFN5X6-8L封装，适用于现代电子产品的小型化设计需求。该器件拥有30V的最大漏源电压和高达150A的连续漏极电流，确保在高电压大电流条件下稳定运作。其出色的导通电阻低至2mΩ，大大减少了功率损耗，提高了系统能效比。广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是构建高效能电路的理想半导体组件。
