IRFH8311PBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFH8311PBF N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，针对现代电子设备的小型化趋势设计。该器件具有30V的最大漏源电压，能承载高达150A的连续漏极电流，确保在重载条件下也能稳定工作。其导通电阻仅为2mΩ，实现了低功耗和高效能转换，特别适用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统等领域的高效能电路设计，是提升系统性能的理想半导体元件。
