ISC026N03L5S_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ISC026N03L5S N沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，旨在优化空间限制且高性能的应用场景。器件支持高达30V的漏源电压，并能处理连续150A的漏极电流，展现卓越的电流传送能力。其引人注目的特性包括仅2mΩ的导通电阻，确保在高电流操作时仍保持低功耗和高效率。此MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动和其他高功率需求的电路设计，是提升系统性能的关键组件。
