NTMFS4C024N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMFS4C024N N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代紧凑型电子设计量身定制。本器件额定电压VDSS为30V，峰值漏极电流高达150A，展现了卓越的电力处理性能。其关键优势在于导通电阻仅为2mΩ，这使得在高电流应用下仍能保持低功耗和高效率，广泛应用在电源转换、电机驱动和众多高效能电路设计中，是您提升系统性能的理想半导体元件选择。
