CSD16403Q5A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD16403Q5A N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装，以其紧凑尺寸实现高性能集成。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能承载高达150A的连续漏极电流，确保在高电压大电流应用中的稳定运行。其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ，助力降低功耗、提升整体能效，广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是实现高效、节能电路设计的理想选择。
