AON6324_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON6324 N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装，具备精巧体积和强大性能。该器件能在30V的最大漏源电压下稳定工作，支持高达150A的连续漏极电流，满足高功率应用需求。其亮点在于仅2mΩ的导通电阻，有助于减少能量损失，提高电路工作效率。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场景，是您追求高效能半导体解决方案的理想之选。
