AON6382_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON6382 N沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的小型化设计需求打造。该器件支持最大30V的漏源电压，能够承受高达150A的连续漏极电流，表现出卓越的电流处理能力。其突出特点是导通电阻仅2mΩ，有效降低功率损耗，提升系统能效，广泛适用于电源转换、电机驱动、开关电源等高功率应用场合，是实现高性能电路设计的理想半导体元件。
