BSC0901NS_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
BSC0901NS N沟道MOS管采用小型化DFN5X6-8L封装，专为紧凑型电子设备设计。该器件支持高达30V的漏源电压（VDSS），可承载连续150A的漏极电流，凸显卓越的电力处理能力。其特色在于2mΩ的低导通电阻（RD(on)），有效减少能耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是您寻求高效、节能解决方案的理想半导体器件。
