IRFH7932PBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFH7932PBF 是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子产品的小型化设计打造。器件支持最大漏源电压VDSS为30V，可承载高达150A的连续漏极电流，展现强大的电流处理能力。其导通电阻RD(on)仅为2mΩ，显著降低功耗并提升电路效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是高功率、高效能电路的理想半导体元件。
