SI7192DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7192DP-T1-GE3 是一款N沟道MOS管，采用小型DFN5X6-8L封装，特别适合空间敏感和高性能电子设备应用。该器件支持30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达150A的连续漏极电流(ID)，展现强大的电流处理能力。其亮点在于2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功耗，提高整体系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动、储能系统等领域，是实现高效能、节能电路设计的理想半导体组件。
