SI7336ADP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7336ADP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装，适应现代电子产品的小型化设计需求。该器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，可处理高达150A的连续漏极电流(ID)，展现强大的电流承载能力。其独特优势在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功率损耗，提高系统能效，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源系统等高功率场合，是您实现高效、节能电路设计的理想半导体组件。
