SI7880ADP-T1-E3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7880ADP-T1-E3 是一款N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装，特别适用于现代电子设备的小型化设计要求。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能处理高达150A的连续漏极电流(ID)，显示其卓越的电流承载性能。其关键特性为仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，极大地提升了能效比，降低了功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高功率应用场合，是您构建高效节能电路的理想半导体部件。
