SIR158DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIR158DP-T1-GE3 是一款N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装，专为现代紧凑型电子产品设计。该器件能够在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定工作，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，表现出卓越的电流处理能力。其亮点是拥有仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保在大电流应用中实现高效能和低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电等领域，是实现高性能电路设计的理想半导体元件。
