CSD16325Q5_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD16325Q5 是一款N沟道MOS管，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为现代紧凑型电子设备设计。该器件可在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，展现卓越的电流处理能力。其亮点在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功耗并提升电路效率，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高功率应用场景，是实现高效能电路设计的理想半导体组件。
