SI7848BDP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7848BDP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装。其拥有40V的额定漏源电压VDSS和高达60A的连续漏极电流ID，展现出卓越的电力处理能力。导通电阻仅为6.9mΩ，有效降低功耗并提高系统能效，适用于各类高功率电子设备和电源管理应用，是您设计中的理想选择。
