BSC093N04LSG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC093N04LSG 是一款高效能N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，适合空间有限的设计方案。该器件具备40V的漏源耐压(VDSS)及60A的大电流承载能力(ID)，且导通电阻低至6.9mΩ(RD(on))，确保在高功率运行下仍保持较低的能量损耗。这款MOS管凭借出色的电气性能，广泛应用于电源转换、电机驱动和其他高效能电路中，是您优化系统效能的理想之选。
