SM6442D1RL_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号为SM6442D1RL 的N沟道MOS管，采用先进的DFN5X6-8L封装技术，尺寸精巧，布局灵活，特别适合高密度集成设计。该器件拥有卓越的电气参数40V的最大漏源电压(VDSS)，可承受高达60A的连续漏极电流(ID)，且导通电阻低至6.9mΩ(RD(on))，保证了高效的能源转换和传输性能。本产品广泛应用于开关电源、充电器、电机驱动等对效率要求较高的电路系统，是您提升整体系统性能的优质之选。
