AON6236_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
AON6236 N沟道MOS管选用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代精密电子设备量身打造。器件支持40V的最大漏源电压(VDSS)，提供高达60A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流传导能力。尤为突出的是其优秀的导通电阻性能，仅有6.9mΩ(RD(on))，显著降低了系统损耗，提高了能效比。这款MOS管广泛应用于各类高效电源转换、电机驱动和电池管理系统，是工程师追求卓越性能的理想半导体元件。
