CSD18504Q5A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD18504Q5A 是一款N沟道MOS管，采用小型DFN5X6-8L封装，特别适用于高密度PCB布局。其核心参数包括40V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载高达60A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻特性，仅为6.9mΩ(RD(on))，确保了高效能和低损耗运行。这款MOS管广泛用于电源管理、逆变器、电动工具等领域，以其卓越的电气性能成为高功率应用的理想解决方案。
