SIR426DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SIR426DP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小巧的DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的紧凑设计而生。该器件提供了40V的漏源电压(VDSS)，并支持高达60A的连续漏极电流(ID)，确保强大电流处理能力。更值得一提的是其出色的导通电阻仅为6.9mΩ(RD(on))，有效降低功耗，提高能源效率。这款MOS管适用于电源转换、电机驱动等各种高功率应用场景，是您实现高效、节能设计的理想半导体元件。
