GKI04076_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
GKI04076 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，特别适合空间有限的设计项目。器件具有优越的电气性能，包括40V的漏源击穿电压(VDSS)和高达60A的连续漏极电流(ID)，并且其低至6.9mΩ的导通电阻(RD(on))大大提升了系统的能源效率。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、LED照明等领域，是您追求高功率密度和高效能解决方案的理想选择。
