NVMFS5C466N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
NVMFS5C466N 是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN5X6-8L封装，体积小巧，适应各种紧凑型设计需求。该器件拥有40V的漏源电压(VDSS)和高达60A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。其导通电阻仅为6.9mΩ(RD(on))，大大提升了系统能效，减少了能源浪费。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是实现高功率、低损耗的理想半导体元件选择。
