NVMFS5C468N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVMFS5C468N N沟道MOS管，选用DFN5X6-8L小型封装设计，提供卓越的热性能与空间优化。器件工作电压VDSS高达40V，支持50A连续漏极电流ID，专为高电流应用环境设计。其导通电阻RD(on)仅为11mΩ，有助于最大程度地减少系统损耗，提高能效比。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多领域，NVMFS5C468N MOS管是追求高效、节能解决方案的理想半导体组件。
