AONS21321_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/9.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AONS21321 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能P沟道MOS管，具备30V的高耐压VDSS，可支持高达50A的连续电流ID，尤其适用于大电流开关应用场合。其出色之处在于导通电阻RD(on)仅为9mR，有助于显著降低系统功耗和提升整体效率。此器件广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是高功率密度和高效率设计方案的理想选择。
