SI7850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/20.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，具有出色的60V漏源电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力，特别适用于高功率应用场合。其导通电阻RD(on)仅为20mR，显著提高了电路效率并降低了功耗。这款MOS管广泛应用于开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，是实现高效、节能设计的理想半导体器件。
