SI7635DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/18.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/3.4mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7635DP-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，优化散热性能和PCB占用面积。器件能在18V的电压下稳定工作，提供强劲的80A连续电流，而3.4mΩ的超低导通电阻确保了卓越的能效表现。广泛应用于电源供应系统等领域的高电流开关与转换场景，是实现高效能电力管理的理想解决方案。
