SIR401DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/18.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/3.4mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIR401DP-T1-GE3 P沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备出色的散热性能和电路板空间利用率。该器件能在18V电压下稳定运行，提供高达80A的连续电流，拥有超低3.4mΩ导通电阻，确保了高效能、低损耗的电力传输。广泛应用于高电流电源转换、电动车充电系统等场合，是高性能、节能设计的理想组件。
