BSC070N10NS5_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/75.0A 参数4：RDON/7.3mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC070N10NS5 是一款N沟道MOSFET，采用小型DFN5X6-8L封装，适合空间有限的应用环境。器件特点明显，具有100V的最大漏源电压(VDSS)，能承载高达75A的连续漏极电流(ID)，并且拥有出色的导通性能，导通电阻仅为7.3mR(RD(on))，确保在高电流传输中仍保持较低的功率损耗。适用于电源转换、电池管理系统、马达驱动等高功率、高效率的电路设计中。
