BSC123N08NS3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/75.0A 参数4：RDON/7.3mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC123N08NS3G 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代高效能电子设备设计。器件亮点在于最大漏源电压VDSS高达100V，可承受75A的连续漏极电流，且具备卓越的导通性能，导通电阻仅7.3mR，确保在大电流应用环境下仍维持低功耗与高效能。
