IPG20N06S2L-50A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高效能与空间受限应用打造。器件支持最高60V的电压VDSS，能稳定承载50A的大电流，表现出众。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为11mR，有效降低了系统功耗，提升了工作效率。IPG20N06S2L-50A 广泛应用在电源转换、电机驱动和高压负载开关等场景，是您构建高能效电子设备的理想半导体组件。
