BSC057N08NS3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/85.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/4.3mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC057N08NS3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的DFN5X6-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件能在85V的电压VDSS下稳定工作，同时支持高达100A的连续电流，展现出卓越的电力传输能力。其核心优势在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，最大限度地减少了能量损失，提升了整体能效。BSC057N08NS3G 广泛适用于电源转换、电动设备驱动、新能源系统等场景，是追求高效能与小型化的理想半导体解决方案。
