SIR424DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/3.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIR424DP-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装设计，专为高功率密度和低能耗应用打造。在20V电压VDSS下，该器件可稳定提供80A的连续电流，满足大电流处理需求。其核心优势在于具有3.5mR超低导通电阻RD(on)，极大优化了能效表现，降低了功耗。广泛适用于电源转换、电机驱动以及其他需要高性能MOSFET的场合，SIR424DP-T1-GE3 是您实现高效、节能设计的理想选择。
