SIR802DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/3.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIR802DP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和低功耗应用设计。在20V电压VDSS下，该器件能够稳定输送高达80A的连续电流，展现出卓越的电流承载能力。其独特之处在于拥有仅3.5mR的超低导通电阻RD(on)，有效提升了系统能效并减少了功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动和其他需要高性能低损耗MOSFET的场合，SIR802DP-T1-GE3 无疑是您理想的选择。
