AON6407_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/110.0A 参数4：RDON/3.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
热销AON6407 P沟道MOSFET，采用坚固耐用的DFN5X6-8L封装，确保卓越的散热性能与高可靠性。器件参数强劲支持高达30V的漏源耐压(VDSS)，峰值电流能力高达110A，而其超低导通电阻RD(on)仅为3mΩ，成就卓越能效表现。
