BSC030P03NS3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/110.0A 参数4：RDON/3.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC030P03NS3G P沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，实现小体积与高效散热的完美融合。该器件规格出众具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够处理高达110A的连续大电流，而3mΩ的超低导通电阻(RD(on))使其在运行过程中表现出色，大大提升了系统能效，降低损耗。广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率应用场景，是追求高效、节能方案的理想半导体器件选择。
