SI7145DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/110.0A 参数4：RDON/3.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
热销SI7145DP-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用DFN5X6-8L封装技术，整合小巧体积与高效散热功能。该器件性能卓越，具有30V的最高耐压值(VDSS)，支持高达110A的连续工作电流，其导通电阻(RD(on))低至3mΩ，确保了优异的电能转换效率和低功耗表现。广泛应用于大电流负载场景，如电源转换、电机驱动等行业，是提升系统性能和节能效果的理想半导体解决方案。
