SIRA01DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/90.0A 参数4：RDON/3.6mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIRA01DP-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，集高效散热与小型化于一体。该器件特色鲜明具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达90A的连续工作电流，且导通电阻(RD(on))低至3.6mΩ，显著提高了功率转换效率并降低了能耗。广泛应用在电源转换、电机驱动等对电流需求大的领域，是提升系统性能、实现节能目标的优选半导体器件。
