AONS21357_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AONS21357 P沟道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封装，具备优秀散热性能，适合紧凑空间布局。器件参数优势明显支持30V的最高漏源电压(VDSS)，能够提供高达70A的连续电流，且导通电阻仅为6mΩ，有效提升系统工作效率，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等多种大电流场景，是您追求高性能与节能设计的理想半导体器件选择。
