BSC080P03LSG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC080P03LSG P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备优良的散热性能和空间优化设计。该器件参数强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V，可承载70A连续大电流，而6mΩ的低导通电阻(RD(on))保证了高效能与低功耗表现。广泛应用在电源转换、电机驱动等大电流处理领域，是提升系统性能和实现节能方案的理想半导体组件选择。
