FDMS8880_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDMS8880 N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装技术，兼顾小型化与高效散热性能。该器件特点显著额定漏源电压(VDSS)高达30V，能承载50A的连续大电流，其6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))确保了卓越的能效转化率和低损耗运行。广泛应用于电源转换、电池管理、电机驱动等行业，是提升系统性能、实施节能方案的理想半导体元件选择。
