NTMFS4C032N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMFS4C032N N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，结合了优秀的散热性能与小尺寸设计。该器件参数出色具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载50A连续大电流，且导通电阻仅为6.5mΩ，从而实现高效率、低损耗的电能转换。广泛应用于电源管理、电机驱动等大电流领域，是提升系统性能和节能减排的理想半导体元件。
