RJK0365DPA_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RJK0365DPA N沟道MOSFET采用现代化DFN5X6-8L封装技术，实现卓越的小型化与高效散热。该器件关键特性包括支持30V的最大漏源电压(VDSS)，能提供稳定的50A连续电流，而其低至6.5mΩ的导通电阻(RD(on))确保了出色的能效和低损耗。广泛运用于电源转换、电机驱动等高电流应用场景，是提升系统性能、实现节能目标的理想半导体组件。
