SIR462DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIR462DP-T1-GE3 N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，集小巧尺寸与高效散热于一身。该器件性能卓著，具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够处理高达50A的连续电流，其低至6.5mΩ的导通电阻(RD(on))确保了强大的功率转换能力和节能效果。广泛应用于电源管理、电机驱动等大电流领域，是提高系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。
