SM6536D1RL_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SM6536D1RL N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，融合了高效散热与小型化设计。该器件性能强劲具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传递50A的连续大电流，其低至6.5mΩ的导通电阻(RD(on))保证了卓越的能效比和低损耗运行。广泛应用在电源转换、电机驱动等高电流处理场景，是提升系统性能和实施节能策略的理想半导体组件。
