CSD17307Q5A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD17307Q5A N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，实现紧凑尺寸与高效散热的完美平衡。该器件参数优越支持30V的最大漏源电压(VDSS)，能够提供稳定的50A连续电流，得益于6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保了高能效转换和降低功耗。广泛应用在电源转换、电机驱动等大电流领域，是提升系统性能和节能方案的理想半导体器件。
