FDMS8888_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDMS8888 N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，融合小型化设计与高效散热性能，为用户带来卓越使用体验。该器件参数卓越支持最高30V的漏源电压(VDSS)，可承载高达50A的连续电流，且具备6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保了高能效转换和低损耗运行。广泛应用于电源转换、电机驱动等大电流领域，是提高系统性能与节能效果的理想半导体器件。
