NTMFS4C029N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/4.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMFS4C029N N沟道MOSFET采用微型DFN5X6-8L封装，适应现代电子设备小型化需求。该器件具有30V的工作电压（VDSS），并能安全承载高达80A的连续漏极电流，展现卓越的大电流处理能力。其导通电阻仅为4.7mΩ（RD(on)），大幅降低功耗，提高系统整体能效。此款MOS管特别适合应用于高功率开关电源、电机驱动控制器以及其他对电流承载和能效要求极高的场合。
