SIR468DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/4.3mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SIR468DP-T1-GE3 是一款采用小型化DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOSFET，专为高效能和空间敏感型设计而生。该器件在30V的电压VDSS下稳定工作，能提供高达80A的连续电流，充分满足高电流应用的需求。其亮点在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提高整体能效。无论在电源转换、马达驱动还是其他大电流负载控制场合，SIR468DP-T1-GE3 都是理想的半导体元件解决方案。
